Micron rozbudowuje fabrykę HBM w Hiroshimie

Micron rozpoczął w sobotę rozbudowę kompleksu w Hiroshimie oraz budowę nowej fabryki przeznaczonej do produkcji modułów HBM dla zastosowań w sztucznej inteligencji.

Cały projekt wyceniono na 9,3 mld USD; niemal 3 mld USD pochodzi z dofinansowania japońskiego ministerstwa gospodarki. Firma planuje zakończyć inwestycję w ciągu dwóch lat, z uruchomieniem produkcji latem 2028 roku.

Nowy zakład powstaje obok istniejącej fabryki Micron w Hiroshimie, gdzie obecnie produkowane są kości DRAM dla urządzeń konsumenckich oraz serwerów. Micron podał, że obecny kompleks obsługuje około 25% globalnego popytu na pamięci.

HBM (High Bandwidth Memory) to pamięć o wysokiej przepustowości stosowana w akceleratorach AI i wybranych rozwiązaniach obliczeniowych. Przykładowymi użytkownikami HBM są producenci kart i procesorów przeznaczonych dla centrów danych, w tym Nvidia.

Firma ogłosiła zamiary rozbudowy w grudniu ubiegłego roku. Pierwotnie start prac planowano na maj, ale rozpoczęcie budowy przesunięto i oficjalnie potwierdzono je w sobotę.

Micron wskazał, że linia skoncentrowana na HBM ma obsługiwać zamówienia z sektora AI i odciążyć pozostałe linie produkcyjne. Producent zaznaczył też, że wpływ inwestycji na dostępność pamięci dla użytkowników indywidualnych będzie widoczny dopiero po uruchomieniu pełnej produkcji.

W ostatnich miesiącach rynek pamięci DRAM doświadczał wzrostu cen związanych ze zwiększonym popytem na komponenty do zastosowań AI. Wielu producentów przeniosło część mocy produkcyjnych na realizację zamówień dla centrów danych, co ograniczyło podaż pamięci konsumenckiej.

Dostawy HBM z nowej fabryki mają się rozpocząć w połowie 2028 roku. Do czasu uruchomienia linii sektory konsumencki i serwerowy pozostaną w warunkach ograniczonej podaży, a tempo zmian cen będzie zależało od skali produkcji po uruchomieniu zakładu.